La m\u00e9moire statique \u00e0 acc\u00e8s al\u00e9atoire, ou SRAM, est un type de m\u00e9moire \u00e0 semi-conducteur qui utilise un circuit de verrouillage bistable pour stocker chaque bit. La SRAM est une m\u00e9moire volatile ; il conserve les bits de donn\u00e9es tant que l'alimentation est appliqu\u00e9e, mais les donn\u00e9es sont perdues lorsque l'alimentation est coup\u00e9e.<\/p>\n
La SRAM a \u00e9t\u00e9 invent\u00e9e par Robert Norman chez Fairchild Semiconductor en 1964. La technologie faisait partie int\u00e9grante des premiers syst\u00e8mes informatiques et a connu une \u00e9volution rapide parall\u00e8lement aux progr\u00e8s de la technologie informatique. Contrairement \u00e0 la DRAM (Dynamic Random-Access Memory), la SRAM ne n\u00e9cessite pas de rafra\u00eechissement constant, ce qui la rend plus rapide et plus souhaitable pour des applications sp\u00e9cifiques.<\/p>\n
La SRAM se compose d'une s\u00e9rie de bascules, chacune stockant un bit de donn\u00e9es. Il est g\u00e9n\u00e9ralement utilis\u00e9 dans les appareils o\u00f9 une efficacit\u00e9 et une vitesse \u00e9lev\u00e9es sont requises. Les avantages de la SRAM incluent un acc\u00e8s \u00e0 faible latence et une faible consommation d'\u00e9nergie en mode veille. Cependant, la complexit\u00e9 et le co\u00fbt de la SRAM, par rapport \u00e0 la DRAM, limitent sa capacit\u00e9.<\/p>\n
Chaque cellule SRAM comprend six transistors qui forment deux inverseurs \u00e0 couplage crois\u00e9 pour stocker un seul bit. Les deux transistors suppl\u00e9mentaires contr\u00f4lent l'acc\u00e8s aux op\u00e9rations de lecture et d'\u00e9criture.<\/p>\n