La m\u00e9moire flash est un support de stockage de m\u00e9moire non volatile qui efface et reprogramme \u00e9lectroniquement les donn\u00e9es. Il s'agit d'une sorte de m\u00e9moire morte programmable effa\u00e7able \u00e9lectroniquement (EEPROM) et elle ne n\u00e9cessite ni alimentation pour conserver les donn\u00e9es stock\u00e9es dans la puce ni besoin d'\u00eatre actualis\u00e9e p\u00e9riodiquement.<\/p>\n
L'histoire de la m\u00e9moire flash a commenc\u00e9 avec la cr\u00e9ation de l'EEPROM par Fujio Masuoka, ing\u00e9nieur chez Toshiba, au d\u00e9but des ann\u00e9es 1980. Le coll\u00e8gue de Masuoka, Sh\u014dji Ariizumi, a propos\u00e9 le nom \u00ab flash \u00bb parce que le processus d'effacement de toutes les donn\u00e9es de la puce lui rappelait le flash d'un appareil photo.<\/p>\n
La premi\u00e8re m\u00e9moire flash, appel\u00e9e \u00ab NOR flash \u00bb, a \u00e9t\u00e9 introduite par Intel en 1988. La m\u00e9moire flash NOR offrait des op\u00e9rations de lecture et d'\u00e9criture \u00e0 acc\u00e8s al\u00e9atoire, mais elle \u00e9tait co\u00fbteuse. Par la suite, Toshiba a introduit le flash NAND en 1989, qui offrait un acc\u00e8s s\u00e9quentiel aux donn\u00e9es et des temps d'effacement et d'\u00e9criture plus rapides. La m\u00e9moire flash NAND est moins co\u00fbteuse par bit et plus \u00e9volutive, ce qui en fait le choix privil\u00e9gi\u00e9 pour les applications de stockage haute capacit\u00e9.<\/p>\n
La m\u00e9moire flash est un type de m\u00e9moire \u00e0 grille flottante, exploitant les principes du pi\u00e9geage de charge pour stocker des donn\u00e9es. La pr\u00e9sence ou l'absence de charge sur un transistor \u00e0 grille flottante indique la valeur du bit stock\u00e9. \u00c9tant donn\u00e9 que la charge reste m\u00eame lorsque l'alimentation est coup\u00e9e, la m\u00e9moire flash pr\u00e9sente des caract\u00e9ristiques non volatiles.<\/p>\n
Les informations contenues dans la m\u00e9moire flash sont stock\u00e9es dans des cellules contenant des bits d'informations. La cellule \u00e0 un seul niveau (SLC) stocke un bit d'information, tandis que la cellule \u00e0 plusieurs niveaux (MLC) peut stocker plus d'un bit par cellule. Ces derni\u00e8res ann\u00e9es, les cellules \u00e0 trois niveaux (TLC) et \u00e0 quatre niveaux (QLC) ont gagn\u00e9 du terrain, permettant davantage de stockage dans le m\u00eame espace physique.<\/p>\n
Chaque cellule de m\u00e9moire flash comprend un seul transistor \u00e0 effet de champ (FET) avec une grille flottante suppl\u00e9mentaire. La grille flottante est positionn\u00e9e entre la grille de contr\u00f4le et le substrat. Les donn\u00e9es sont stock\u00e9es en pi\u00e9geant ou en supprimant les \u00e9lectrons de la grille flottante. Cela modifie la tension de seuil du transistor \u2013 qui repr\u00e9sente les valeurs binaires 0 et 1.<\/p>\n
L'\u00e9criture dans une m\u00e9moire flash implique de pi\u00e9ger des \u00e9lectrons dans la grille flottante (programmation) et la lecture implique de v\u00e9rifier la tension de seuil (d\u00e9tection). L'effacement consiste \u00e0 retirer les \u00e9lectrons de la grille flottante. Les cellules de m\u00e9moire Flash sont g\u00e9n\u00e9ralement dispos\u00e9es selon un motif de grille, qui comprend des blocs, des pages et des plans.<\/p>\n
Les principales caract\u00e9ristiques de la m\u00e9moire flash incluent la non-volatilit\u00e9, le stockage \u00e0 long terme, une faible consommation d'\u00e9nergie et la durabilit\u00e9. Ses temps d'acc\u00e8s en lecture rapides le rendent adapt\u00e9 \u00e0 diverses applications. L'absence de pi\u00e8ces mobiles dans la m\u00e9moire flash se traduit par un risque moindre de panne m\u00e9canique. De plus, la m\u00e9moire flash peut r\u00e9sister \u00e0 des pressions \u00e9lev\u00e9es, aux variations de temp\u00e9rature et aux vibrations.<\/p>\n
La m\u00e9moire flash est principalement divis\u00e9e en deux types : la m\u00e9moire flash NOR et NAND.<\/p>\n