La memoria flash es un medio de almacenamiento de memoria no vol\u00e1til que borra y reprograma datos electr\u00f3nicamente. Es un tipo de memoria de s\u00f3lo lectura programable y borrable electr\u00f3nicamente (EEPROM), y no requiere energ\u00eda para mantener los datos almacenados en el chip ni necesita ser actualizada peri\u00f3dicamente.<\/p>\n
El viaje de la memoria flash comenz\u00f3 con la creaci\u00f3n de EEPROM por Fujio Masuoka, un ingeniero de Toshiba, a principios de los a\u00f1os 1980. El colega de Masuoka, Sh\u014dji Ariizumi, propuso el nombre 'flash' porque el proceso de borrar todos los datos del chip le recordaba al flash de una c\u00e1mara.<\/p>\n
Intel introdujo la primera memoria flash, llamada 'NOR flash', en 1988. NOR flash ofrec\u00eda operaciones de lectura y escritura de acceso aleatorio, pero era cara. Posteriormente, Toshiba introdujo la memoria flash NAND en 1989, que proporcionaba acceso secuencial a los datos y ten\u00eda tiempos de borrado y escritura m\u00e1s r\u00e1pidos. La memoria flash NAND es menos costosa por bit y m\u00e1s escalable, lo que la convierte en la opci\u00f3n preferida para aplicaciones de almacenamiento de alta capacidad.<\/p>\n
La memoria flash es un tipo de memoria de puerta flotante que aprovecha los principios de captura de carga para almacenar datos. La presencia o ausencia de carga en un transistor de puerta flotante denota el valor del bit almacenado. Dado que la carga permanece incluso cuando se corta el suministro el\u00e9ctrico, la memoria flash presenta caracter\u00edsticas no vol\u00e1tiles.<\/p>\n
La informaci\u00f3n en la memoria flash se almacena en celdas que contienen bits de informaci\u00f3n. La celda de un solo nivel (SLC) almacena un bit de informaci\u00f3n, mientras que la celda de varios niveles (MLC) puede almacenar m\u00e1s de un bit por celda. En los \u00faltimos a\u00f1os, las celdas de tres niveles (TLC) y las celdas de cuatro niveles (QLC) han ganado terreno, lo que permite m\u00e1s almacenamiento en el mismo espacio f\u00edsico.<\/p>\n
Cada celda de memoria flash consta de un \u00fanico transistor de efecto de campo (FET) con una puerta flotante adicional. La compuerta flotante se coloca entre la compuerta de control y el sustrato. Los datos se almacenan atrapando o eliminando electrones de la puerta flotante. Esto cambia el voltaje umbral del transistor, que representa los valores binarios 0 y 1.<\/p>\n
Escribir en una memoria flash implica atrapar electrones en la puerta flotante (programaci\u00f3n) y leer implica verificar el voltaje umbral (detecci\u00f3n). Borrar implica eliminar los electrones de la puerta flotante. Las celdas de memoria flash suelen estar dispuestas en un patr\u00f3n de cuadr\u00edcula, que incluye bloques, p\u00e1ginas y planos.<\/p>\n
Las caracter\u00edsticas principales de la memoria flash incluyen no volatilidad, almacenamiento a largo plazo, bajo requerimiento de energ\u00eda y durabilidad. Sus r\u00e1pidos tiempos de acceso de lectura lo hacen adecuado para diversas aplicaciones. La ausencia de piezas m\u00f3viles en la memoria flash se traduce en un menor riesgo de fallo mec\u00e1nico. Adem\u00e1s, la memoria flash puede soportar alta presi\u00f3n, variaciones de temperatura y vibraciones.<\/p>\n
La memoria flash se divide principalmente en dos tipos: memoria flash NOR y NAND.<\/p>\n